【ISSCC 2007レポート】フラッシュの置き換えを狙う次世代不揮発性メモリ会期：2月12日～14日(現地時間) 会場：米国カリフォルニア州サンフランシスコ Marriott Hotel フラッシュメモリは、電源を切っても書き込んだデータが半永久的に残る。電源を入れれば、書き込んだデータを電気的に書き換えられる。そしてデータを高速に読み出せる。さらに最近は、記憶容量当たりの価格(MB単価)が急激に安くなった。この結果、フラッシュメモリは過去、最も普及した半導体不揮発性メモリとなっている。 ただしフラッシュメモリには、いくつかの欠点がある。データの書き込みに時間がかかること、書き換え可能回数が1万回～10万回程度に制限されることなどだ。DRAMやSRAMなどに比べると、不揮発性であることを除けば使いやすいとはあまり言えない。機器設計やメモリカード設計などの工夫でフラッシュメモリの欠点をエンドユーザーにはそれほど目立たないようにしていることと、不揮発性で安価という素晴
