パソコンに保存されている1GB(ギガバイト)の大容量の映画一本を携帯用保存装置(USB)へ移すのに1秒もかからない次世代メモリが国内技術で開発された。 建国(コングク)大学物理学部のイ・サンウク教授、ソウル大学物理天文学部のパク・ヨンウ教授が共同参加した研究グループは1日、「現在、使用されているフラッシュメモリより情報を保存、削除する速度が、1000倍以上速い新しい概念のメモリを開発した」と発表した。 同研究グループは、電荷(電気の性質を持つ小さい粒子)の伝達方式を変え、次世代メモリの情報処理速度を大幅に速めた。メモリは、電荷を盛る皿の役割をするフローティング・ゲートに電荷を入れ、抜く方法で信号を作る。フローティング・ゲートに電荷があれば「1」、そうでなければ「0」という信号が示される。トランジスタは、この信号を呼び出し、情報を処理するが、現在の方法では電気がよく伝わらない絶縁層に電荷を通
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