第1回：GaN系パワー素子が実用化へコストはSi並みに Siに続く次世代のパワー半導体として，SiCとともに期待を集めていたGaN系パワー半導体素子（以下，GaN系パワー素子）。これまでは実用化の面でSiCの後塵を拝していたが，ついに2011年から市場投入されることが明らかになった。富士通は，同社のサーバー機向け電源のスイッチング素子として，GaN系トランジスタを採用する予定だ。GaN系パワー素子に関しては学会発表などが盛んだったが，具体的な用途と製品化時期が明示されるのは今回が初めてである。 GaN系パワー素子は，導通損失とスイッチング損失を抑制できることから，電源回路に応用すると，その電力損失を大幅に低減できる。しかし，コスト面や電気特性面などに課題があり，トランジスタの実用化が遅れていた。 今回，この状況が大きく変わった。GaN系トランジスタの積極的な事業化を目指すメーカーが現れたためだ。まず，富士通研究所が，GaN系HEMTとショットキ
