産総研 TODAY 2005.7 VOL.5-7酸化マグネシウムをトンネル障壁に用いたトンネル磁気抵抗(TMR) 素子を開発した。このTMR素子は、低い素子抵抗とともに室温で140%という巨大な磁気抵抗比を持つもので、次世代の超高密度ハードディスク用の磁気ヘッドへの応用が期待される。 9年前に旧電総研（現産総研）に入所して以来、当時は“古臭い”と言われた「磁性材料」を用いて新しい電子デバイス（スピントロニクス技術）の研究開発を続けている。TMR素子の研究は約5年前に私を含めて二人の研究者でこっそりと開始。当初は技術は無い、装置は無い、研究費は無いの三重苦状態から始めて、昨年、酸化マグネシウムを用いた高性能TMR素子の開発に世界で初めて成功し、従来の素子の3倍を超える性能を達成することができた。現在、産業界を巻き込んで酸化マグネシウムTMR素子をMRAMや磁気ヘッドなどの製品化につなげるために奮闘している。 We have develop
