SRAMの書き込み動作を理解する
SRAMセルのトランジスタ回路と書き換え動作 国際会議「IEDM」のショートコースで英国ARM ResearchのエンジニアRob Aitken氏が、「System Requirements for Memories（システムがメモリに要望する事柄）」と題して講演した内容を紹介するシリーズの第15回である。 前回は、SRAMの消費電力と設計課題を解説した。今回は、SRAMの書き込み動作を説明しよう。 SRAMセルは、トランジスタ回路として見るとフリップフロップそのものである。出力として2本のビット線（「BL」と「BLB」）が存在し、入力として1本のワード線（WL）が存在する。ワード線とビット線を接続するトランジスタが2個、論理値の「高」と「低」を維持するフリップフロップ用トランジスタが4個ある。フリップフロップ用のトランジスタ回路は、2個のCMOSインバーターの出力をお互いの入力に帰還（フ
海抜が高くなるとSRAMのソフトエラー発生率が上昇 | スラド ハードウェア
AMDと米ロスアラモス国立研究所などの調査によると、海抜が高くなるとSRAMのソフトエラー発生率が上昇することがわかったそうだ(論文アブストラクト、 Network Worldの記事、 本家/.)。 調査ではロスアラモス国立研究所のスーパーコンピューター「Cielo」と、オークリッジ国立研究所のスーパーコンピューター「Jaguar」を比較している。Cieloは約8,500ノードで各ノードにAMDの8コアOpteronプロセッサーを2つ搭載。Jaguarは調査当時18,688ノードで、各ノードに6コアのOpteronプロセッサーを2つ搭載していたとのこと。ニューメキシコ州のロスアラモスは海抜約2,225メートル、テネシー州のオークリッジは海抜約267メートルだ。調査の結果、一時的にビット反転が起こるソフトエラーの発生率は、L2、L3ともにCieloの方が高かったという。海抜の高い場所では気圧
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
