【VLSI 2008レポート】IBMグループ、32nmのHigh-k/メタルゲート技術を公表IBMグループが今回発表した半導体製造技術の概要と、TSMC/Intelが最近公表した半導体製造技術の概要。IBMグループとTSMCは低消費電力版、Intelは高性能版の技術であることに注意されたい 2008 Symposium on VLSI Technology 会期：6月17～19日(現地時間) 2008 Symposium on VLSI Circuits 会期：6月18～20日(現地時間) 会場：米国ハワイ州ホノルル市 Hilton Hawaiian Village 米IBMを中心とする次世代半導体製造技術の研究開発グループは、32nmのHigh-k/メタルゲートトランジスタ技術を開発し、その概要をVLSI 2008で公表した(X.Chenほか、VLSI Technology、講演番号9.2)。IBMとFreescale Semiconductor、Chartered Semic
東芝、半導体チップの搭載ゲート数を30%高める技術を開発
http://www-06.ibm.com/jp/press/pdf/archive_2008.pdf
