ナノシートをシード層に用いた各種結晶薄膜の配向成長－非常に平滑・高結晶性のシード層を様々な基材の上に室温で作製可能－独立行政法人 物質・材料研究機構(理事長：岸輝雄、以下ＮＩＭＳ)と独立行政法人 科学技術振興機構(理事長：北澤宏一、以下ＪＳＴ)は、ＮＩＭＳナノスケール物質センター(センター長：佐々木高義)ソフト化学グループの柴田竜雄ＪＳＴ研究員、佐々木高義センター長らにより、様々な基材上での高品質の配向膜の成長を可能とするシード層を、無機ナノシートという独自素材を用いることで室温にて作製することに成功した。 １．様々な先端材料の薄膜化は電子デバイスや発光デバイス等を作製する上で欠くことのできない基盤技術である。Si、GaN、ZnO等の材料では、結晶性や配向性などの結晶の質を上げることでより優れた特性を示すようになるため、薄膜作製における結晶成長のコントロールが重要な課題となっている。既存の方法では単結晶を基板につかったり、基板と薄膜の間にシード層を導入したりすることで結晶成長をコントロールしていたが、単
