IBM、65nmプロセスのCellを製造開始
3月12日(現地時間) 発表 米IBMは12日(現地時間)、65nmプロセスによるCell Broadband Engineの製造を開始したと発表した。製造はニューヨーク・イーストフィッシュキルのFabで行なわれる。これまでは90nmプロセスでの製造だった。 Cell Broadband Engineは、IBM、ソニーグループ、東芝が共同開発したCPUで、PLAYSTATION 3のCPUとして知られている。また、IBMのサーバー「BladeCenter」にも搭載されている。 IBMは2月のISSCC 2007において、65nmプロセス版の詳細を公開していた。 □IBMのホームページ(英文) http://www.ibm.com/ □ニュースリリース(英文) http://www-03.ibm.com/press/us/en/pressrelease/21222.wss □関連記事 【2月
ITmedia +D PC USER：45ナノで知るIntelとAMDの“工場哲学”
奇しくも1月27日、IntelとIBMがHigh-k絶縁膜と金属材料を用いたゲート電極（Metal Gate）による半導体製造技術について、それぞれ実用化の目途がたったと発表した。普通に考えて、両社の発表がたまたま同じ日になった、とは思えない。ましてや1月27日は土曜日である。どちらかが、どちらかの発表を察知して、対抗したと考えたくもなる。 今回の場合Intelは、事前説明会を準備し、45ナノメートルプロセスルールのCPU（ファミリーの開発コード名はPenrynという）のダイ写真と概要まで公開したのだから、最初から27日の発表を予定していたと考えてよさそうだ。それに比べてIBMは、今回の発表の詳細については、今後の学会や学会誌で明らかにする、としており、準備不足は明らか。あわてて対抗したと言われてもしょうがない状況だ。 IBMがIntelと同日発表した理由は、おそらくIntelの発表にあっ
IBM、「ムーアの法則」延命する新技術開発
米IBMは1月27日、現行のほとんどのプロセッサで利用できるトランジスタ技術を開発したと発表した。 同社が開発したのは、新しい素材を使った「high-k（高誘電率）金属ゲート」。ゲートはトランジスタ上で電子の流れを制御するスイッチの役割を果たす。従来のシリコンに替えて金属を採用したゲートにより、トランジスタの電気的特性を向上させると同時に、トランジスタのサイズを今の限界以上に縮小できると同社は説明する。 IBMはAMD、ソニー、東芝とともにこの技術を開発。この技術は従来よりも小型で高速、電力効率の高いプロセッサ回路への道を開くものであり、既存の製造ラインに最小限の変更を加えるだけで取り入れられるとしている。 同社はニューヨーク州イーストフィッシュキルの半導体製造ラインにこの技術を組み込んでおり、2008年から45ナノメートルプロセスで製造されるプロセッサにこの技術を適用する。 半導体業界は
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
