パナソニックは6月24日、半導体と強誘電体の界面伝導を利用した、新しい構造のメモリスタを開発したことを明らかにした。メモリスタは、流れた電流量によって抵抗値が変わり、その状態を保持する機能を持つ。今回、強誘電体の性質を用いて半導体の抵抗値を制御し、これまで実現されていなかった10万倍の抵抗値変化を得ることに成功した。これにより、1つの素子で多くの抵抗値を記憶することが可能となったほか、トランジスタとの一体化に成功し、高機能・高集積化の可能性が広がったこととなる。 今回開発したメモリスタの構造図と界面拡大写真 今回同社が開発した素子は、最大抵抗/最小抵抗の比が10万倍で、1つの素子で多くの抵抗値を記憶することが可能だ。これは、半導体と強誘電体との界面では、半導体の抵抗は、界面にある電子の密度に大きく依存するが、強誘電体は半導体界面の電子密度を大きく変化させるとともに安定保持できるため、これま
★パワーのタイプが違っても、改造方法は基本的に同じです。 ★コマンド記述の見方は (例) [F]+[M/S]+電源ON は、[F]ボタンと[M/S]ボタンを押しながら、電源を入れるという意味です ★周波数帯の表示は、特に意味があって分けているのではありません。 使用可能になるおおよその周波数帯を、書きやすいように都合で分けて表示しています。 ★この資料による改造のいかなる結果にも一切の責任を負いません。 改造する人は、全て自分の責任に於いて実施して下さい。 また、質問等も一切受付けません。電話や質問メールを頂いても回答しませんので、あしからずご了承下さい。
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