富士通研究所、32nm世代以降のロジックLSI向けの高信頼性多層配線技術を開発 | RBB TODAY富士通研究所と富士通は12日に、32ナノメートル（以下、nm）世代以降のロジックLSI向け技術として、マンガンを添加した銅配線と、超薄膜のバリアメタルを用いることにより、信頼性の高い多層配線を実現する技術を開発したことを発表した。 45nm世代までのLSIで用いられるCu配線は、Cuを保護するためにバリアメタルで周りが覆われているが、32nm世代のような微細なCu配線に対してバリアメタルの占める割合が大きくなると、配線抵抗が増加してしまうため、信頼性の確保が難しかった。 この新技術では、超薄膜のバリアメタル上にマンガン（Mn）を添加したCu配線を形成することで3分の1に薄膜化し、配線抵抗の低減と高信頼性の確保を両立させることに成功した。従来技術と比べて配線抵抗を効果的に低減するとともに、LSIの配線における経年劣化の要因となる「エレクトロマイグレーション」（銅原子の移動による空孔発生現象）
日本HP、「HP Z800 Workstation」に128GB／160GB／192GBの大容量メモリ構成モデルを追加 | RBB TODAY
