レーザーを使った半導体ウェハの新スライス技術「KABRA」半導体製造装置メーカーのディスコは8月8日、レーザー加工によるSiCインゴットのスライス技術を開発したと発表した。半導体製造コストを劇的に下げる可能性がある。 半導体製造では、シリコンなどの結晶インゴットから薄くスライスしてウェハーを製造する。スライス工程はダイヤモンドワイヤーソーで切断するのが主流だが、SiC（シリコンカーバイト）半導体は硬いため加工に時間がかかるほか、切断時のロスが多いなどの問題があった。 ディスコではレーザーを用いた「KABRA」プロセスを開発。これはインゴットの上面からレーザーを照射し、光を吸収したSiCが分離層となり剥離するもの。上面からのレーザーで素材が改質してしまうため半導体製造には不向きとされていたが、レーザーによりSiCが分解してアモルファス状態のシリコンとカーボンに分離する現象と、アモルファスカーボンの光吸収係数がSiCの約10万倍あることに注目。開発を
