【ニュース・フラッシュ】Micron、LPDDR5とUFS 3.1を統合したスマホ向けパッケージ
半導体材料輸出規制と東芝メモリの停電でDRAM/NAND価格はどうなる？
半導体市場調査会社である台TrendForceは7月16日付けで、6月中旬に発生した東芝メモリ四日市工場の停電に伴う生産停止と、7月頭に日本政府が半導体やディスプレイパネルやスマートフォン製造に使用される3つの主要材料の韓国向け輸出規制の影響から、メモリ業界の下流にあるモジュールメーカーは今までよりも高額の見積もりを大口顧客に出していると報じた。 それによるとDRAMおよびNANDの在庫は依然として高いため、日本政府の今回の措置は完全な材料の輸出禁止ではなく輸出手続きに要する期間の変更である限りは、需要と供給の短期的かつ構造的な逆転の可能性は低いとTrendForceは見ている。 今回の日本の韓国に対する輸出規制については、半導体業界に価格下落が続いてきたメモリ価格を反転させるのではないかという期待感を持たせるとの見方が一部で報道されたが、DRAMeXchangeの分析によると、DRAMの
IntelとMicron、“NANDより1000倍速い”新不揮発メモリ技術「3D XPoint」発表
米Intelと米Micron Technologyは7月28日（現地時間）、NANDフラッシュメモリよりも1000倍速いという新しいカテゴリーの不揮発メモリ「3D XPoint」を発表した。年内にサンプルを顧客数社に提供する計画。 3D XPointは、名称からも分かるようにメモリセルのボードを3次元に組み立てることで小さいサイズでのデータの読み書きを可能にした。 両社はこの技術を“1989年のNANDフラッシュ以来、25年ぶりの新カテゴリーのメモリ”としている。NANDより1000倍速いだけでなく、1000倍耐久性があり、従来のメモリよりデンシティが10倍高いという（デンシティが高ければ小さいサイズで大容量のメモリを実現できる）。1つのダイに128Gビットのデータを保存できる。 3D Xpointの用途としては、ビッグデータのリアルタイム解析などを例に挙げているが、PCに搭載すればコラボ
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