このように1Uに高密度で搭載することで1ペタバイトの実装が可能。Intel SSD D5-P4326の記憶媒体としては、1セルあたり4ビットの記憶容量を持つQLC(Quad Level Cell)と、64層の3D NAND技術を用いたNAND型フラッシュメモリを採用。 QLCによってセルあたりの情報密度を高めた上に、それを64層分積み上げることで、大幅な大容量化を実現しています。 ただしQLCは読み書きの速度がそれほど速くないため、インテルはこの「Intel SSD D5-P4326」がウォームストレージ、つまり頻繁に読み書きが発生するため高速なアクセスが求められるホットストレージと、大容量データの長期保存が求められるアーカイブ向けのコールドストレージの中間的な役割として使われることを想定しています。 インテルはまた、2.5インチフォームファクターの「Intel Optane SSD DC
インテル、DRAMと同じDDR4スロットに挿せる不揮発性メモリ「Intel Optane DC persistent memory」サンプル出荷開始、2019年に本格出荷へ 現代のコンピュータの基本的なアーキテクチャにおける記憶装置は、電源を切ると消えてしまう一時記憶装置(メインメモリ)と、電源を切っても消えない二次記憶装置(ストレージ)の2つを基本としています。 しかしインテルはこれまでにない新たな記憶装置(不揮発性メモリ)として、「Intel Optane DC persistent memory」(以下Optane DC)のサンプル出荷を開始したと発表しました。下記はそのプレスリリースの一節です。 One that we believe fundamentally breaks through some of the constricting methods for using da
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