Micron、NAND型フラッシュ事業の縮小と人員削減を発表
米Micron Technologyは10月9日、メモリ事業の縮小計画を発表した。 半導体市場の需要減退と供給過剰によるNAND型フラッシュメモリ、特に200ミリウエハー製造ライン製品の、製造コストを下回るほどの販売価格低下が事業縮小の要因としている。 同社は、Intelとの合弁会社であるIM Flash Technologies（IMFT）の、米アイダホ州ボイジー工場でのNAND型フラッシュメモリの生産を中止する。これによりIMFTのNAND型フラッシュ生産量は、月間で200ミリウエハー約3万5000枚分の減産となる。 このメモリ事業縮小に伴い、今後2年間で従業員の約15％を削減する計画も明らかにした。 関連記事 Micron決算、赤字拡大 メモリの供給過剰と価格下落により、Micronの6～8月期業績は赤字が2倍以上に拡大した。 2008年の世界半導体売上高予測、SIAが下方修正 米半
東芝、43nmプロセス採用組み込み式NAND型フラッシュメモリを製品化 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
東芝は、携帯電話やビデオカメラなどの携帯機器向けに、最大32GBを実現した組み込み式NAND型フラッシュメモリ7品種14製品を製品化したことを発表した。9月より順次サンプル出荷を行い、2008年第4四半期(10-12月)の量産を予定している。 開発された32GB組み込み式NAND型フラッシュメモリ 32GB品は、43nmプロセスを採用した32GビットNANDチップ8枚とコントローラチップを1チップに収めた制御機能付メモリで、メモリカード規格のJEDEC/MMCA Ver 4.3やSDA Ver 2.0などに準拠している。 書き込み速度は、JEDEC/MMCA Ver. 4.3規定準拠HS-MMCインタフェースを備えた「e-MMC」でシーケンシャルモードで最小10MB/s、シーケンシャル/インターリーブモードで最小18MB/sであり、読み出し速度はシーケンシャルモードで最小20MB/sとなっ
Mtron、リード260MB/secのSSD用コントローラ
現行のNANDフラッシュコントローラの4チャンネルシステムから、2倍の8チャンネルシステムに強化し、SLCでリード260MB/sec、ライト240MB/secを実現した。この速度は現行のコントローラの2倍となる。 この新型コントローラを搭載したSSD製品は、2009年初頭の出荷を予定している。 さらに、SSD製品のラインナップに、ExpressCard接続、Mini PCI Express接続の製品を追加した。データ転送速度はリード110MB/sec。このほか、温度や振動への耐性を改善し信頼性を高めた3.5インチSSD「XTM 7500」を追加し、8月より出荷する。 □Mtronのホームページ(英文) http://www.mtron.net/ □ニュースリリース(英文) http://www.mtron.net/English/PressRoom/PressRoom.asp?sid=Pr
トランセンド、容量64GBの2.5インチSSD
発売中 価格：オープンプライス トランセンド ジャパン株式会社は、容量64GBの2.5インチSSD「TS64GSSD25」シリーズを発売した。価格はすべてオープンプライス。 インターフェイスおよび採用チップの違いで3モデルが用意される。店頭予想価格は、SATAでSLC採用の「TS64GSSD25S-S」が135,000円前後、SATAでMLC採用の「TS64GSSD25S-M」が54,200円前後、IDEでMLC採用の「TS64GSSD25-M」が53,100円前後の見込み。 いずれも0.1ms以下のレイテンシでHDDより高速と謳うSSD。最大転送速度は、TS64GSSD25S-Sが読込み119MB/sec、書込み64MB/sec、TS64GSSD25S-Mが読込み116MB/sec、書込み43MB/sec、TS64GSSD25-Mが読取り55MB/sec、書込み21MB/sec。 本体サ
SanDisk、低価格PC向けSSD「pSSD」を発表
米SanDiskは6月3日、フラッシュメモリベースのSSDの新製品ライン「pSSD」を発表した。ULCPC（Ultra Low-Cost PC）やNetbookなどと呼ばれる新カテゴリーの低価格の小型端末向けに設計されたもので、OSとアプリケーションデータの両方を保存できるため、HDDは不要という。8月からの提供開始を予定している。 pSSDは、読み出し速度は毎秒39Mバイト、書き込み速度は毎秒17Mバイト。容量は4Gバイト、8Gバイト、16Gバイトの3種となっている。同社のマルチレベルセル（MLC）およびシングルレベルセル（SLC）フラッシュメモリを基に、同社が東芝と共有している四日市市のファブで生産される。OSはLinuxとWindows XPをサポートする。 SanDiskは、もともと教育用や途上国向けに開発された低価格PCが、一般の消費者向け端末としても急成長するとみている。小型軽
IntelとMicron、34nmプロセスの32GビットNAND型フラッシュ開発
米Intelと米Micron Technologyは5月29日、34ナノメートル（nm）プロセスによる32GビットのマルチレベルセルNAND型フラッシュメモリを発表した。両社によれば、40nm以下の製造プロセスによるNAND型フラッシュとしては業界初の製品となる。 このフラッシュメモリはIntelとMicronが共同開発したもので、両社の合弁企業IM Flash Technologies（IMFT）が製造する。顧客へのサンプル出荷開始は6月で、年内に量産を開始する予定。 SSDへの採用を念頭に開発された新メモリは、サイズ172平方ミリで48ピンTSOP（Thin Small Out-Line Package）を使用。現在のSSD業界標準である1.8インチの小型フォームファクターで、コストを抑えつつ記憶容量を256Gバイト以上に増やすことができるとしている。 また両社は、もっと低密度のマルチ
【レポート】 SanDiskのコンシューマPC向けOSドライブソリューション「Vaulter Disk」 (1) OSをNAND型フラッシュメモリに格納 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
NAND型フラッシュメモリを用いたSSD(Solid State Drive)は、HDDと比べ高い耐衝撃性やパフォーマンス、低い消費電力などを実現できることから、徐々に普及が始まっているが、HDDと比べると容量単価が高いという課題がある。そこでSanDiskでは、HDDの大容量性とNAND型フラッシュメモリの高いパフォーマンスを組み合わせることで、SSDに比べ低コストながらNAND型フラッシュメモリの利点を活用することが可能なコンシューマPC向けOSドライブソリューション「Vaulter Disk」を2007年11月に発表した。同ソリューションは、2008年1月に開催されたInternational CESにおいて、"BEST OF INNOVATIONS"を受賞するなど、注目を集めている。 Vaulter Diskの外観 NAND型フラッシュメモリを用いたソリューションとしては、SSDの
5倍高速なNAND型フラッシュ、IntelとMicronが発表
米Intelと米Micron Technologyは2月1日、従来よりも5倍高速なNAND型フラッシュメモリ技術を発表した。 この技術は両社が共同開発したもので、両社の合弁企業IM Flash Technologies（IMFT）が製造に当たる。読み込み速度は最高で200Mバイト/秒、書き込み速度は最高で100Mバイト/秒。NANDフラッシュ推進団体Open NAND Flash Interface（ONFi）の新しい仕様と4プレーン型アーキテクチャを採用したことで高速化を実現したという。従来のシングルレベルセルのNANDフラッシュは、読み込み40Mバイト/秒、書き込み20Mバイト/秒。 この新しい高速NANDを、例えばハイブリッドHDDに採用した場合、従来のHDDよりも2～4倍高速にデータを読み込み、書き込みできると両社は述べている。また策定中のUSB 3.0仕様と併用すればさらなる高速
MemCon Tokyo 2007レポート【フラッシュメモリ編】
会期：11月13～14日 会場：東京コンファレンスセンター・品川 「MemCon Tokyo 2007」のフラッシュメモリ関連では、NAND型フラッシュメモリを内蔵した外部記憶装置の講演が非常に興味深かった。IntelによるNAND型フラッシュおよびSSDの講演と、ソニーによる業務用ビデオカメラ向けメモリカード「SxS(エス・バイ・エス)」の講演である。 ●Intelのフラッシュメモリ技術とSSD Intelは講演で、フラッシュメモリの原理とビットエラーの発生メカニズムを最初に説明した。フラッシュメモリの代表的なセルであるフローティングゲート型セルではゲートが2層構造になっており、選択ゲートのほかに、絶縁膜にくるまれた電気的に浮遊している(フローティングな)ゲートが存在する。このフローティングゲートに電荷を注入することでトランジスタのしきい電圧(トランジスタがON/OFFする境目となる電圧
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】64bit版Windows普及の遅れがフラッシュメモリの浸透を促す
●キャッシュになるDRAMとテープになるHDD PCのメモリ&ストレージ階層の役割が変わりつつある。DRAMメインメモリはディスクキャッシュ的な役割に変わりつつあり、HDDは光学ディスクや磁気テープの位置に近づきつつある。そして、その中間でフラッシュメモリなどの不揮発性メモリ(NVM:Non-Volatile Memory)がディスクの役割を担う可能性が出てきている。 この変化をもう少し詳しく説明すると次のようになる。以前は、ランダムアクセスの速いDRAMメインメモリが、プログラムの実行メモリだった。そして、ある程度のランダムアクセス性能と高速なシーケンシャルアクセス性能を持つHDDが、データとプログラムのファイルを格納するディスクドライブ。シーケンシャルアクセスはいいがランダムアクセスが遅いテープや光学ドライブが、大容量のデータを格納する外部ストレージだった。 しかし、今後のPCのメモリ
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07年のDRAMに続いて08年はNAND市場が危機に - 米iSuppli報告 | エンタープライズ | マイコミジャーナル