書き込み速度が約1万倍の「次世代メモリー」開発へ、待機時の消費電力もほぼゼロに従来のNAND型フラッシュメモリーの約1万倍の書き込み速度を実現する「次世代メモリー」の開発が開始されることが明らかになりました。 実現すれば今までとは比べものにならないほどの速度でデータを書き込みできるようになるだけでなく、待機時の消費電力もほぼゼロになるため、スマートフォンをはじめとしたモバイル機器での大きな活躍を見込むことができます。 詳細は以下から。 エルピーダ、シャープや東大らと次世代メモリー開発 - MSN産経ニュース 産経新聞社の報道によると、エルピーダメモリとシャープ、東京大学などが書き込み時間を大幅に短縮できる不揮発性の「次世代メモリー」を共同開発することが明らかになったそうです。 開発が開始されるのは電圧でデータを書き換えるため電流が微量で済み、消費電力が小さいとされる抵抗変化型メモリー「ReRAM」で、携帯情報端末などに用いられているNAND型フラッシュメモリの約1万
エルピーダ，シャープなどがReRAMを共同開発，DRAMとNANDフラッシュ・メモリの性能差を埋める
エルピーダ、30nmクラスの製造プロセスを用いた2Gビット DDR3 SDRAMを開発 | エンタープライズ | マイコミジャーナル
