SPICE3F5ダイオードのモデリング ダイオードモデル 半導体デバイス（物理モデル）の中で最も簡単なダイオードのモデルを用いて、半導体の特性とデバイスモデルのパラメータがどのように関係しているか調べてみます。この他のデバイスモデルの詳細については、若干の半導体物理や最新のプロセス技術に関する知識を必要としますが、ダイオードモデルは昔乍らの１次元モデルで理解することができます。 図4-2-1 ダイオードモデルの構造 この図のIDCは、ダイオードの直流特性を表す非線型電流源です。Rsは、半導体バルク、オーミックコンタクトの接触抵抗などを含めた直列抵抗を表します。Cは、キャリアの拡散容量と空乏層容量の和であり、バイアス電圧に依存します。この図より、直流特性は、IDC と Rs で決定され、交流特性は、Rs, C, dIDC/dV によって決定されることが解ります。過渡応答特性には、全てのデバイスモデルパラメー
