サムスン3nmを活用するExynos 2500の歩留まりは20%以下であることが明らかに サムスンが開発している次世代スマートフォン向けチップセットのExynos 2500では、サムスンファウンドリーの最先端プロセスである3nm GAAプロセスを用いた製造が予定されています。この3nm GAAプロセスでは、TSMC 3nmで使われているFinFETに比べて省電力性に優れるGAA構造が用いられていますが、この高度な技術の導入により、Exynos 2500は想像を絶する低い歩留まりに苦しんでいるようです。 サムスンのExynos 2500については、2025年初めに発売予定のGalaxy S25シリーズへの搭載が見送られたという話が数日前にありましたが、業界関係者によると、このExynos 2500の歩留まりは非常に低く、今年下半期まで歩留まりの向上に注力する方針であるようです。同チップセット
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