「MEMSトランジスタ」をCMOSチップ上に作製、フィルタや発振器が集積可能に
「MEMSトランジスタ」をCMOSチップ上に作製、フィルタや発振器が集積可能に：プロセス技術 タイミングデバイス CMOS技術で製造する半導体チップ上に、ギガヘルツオーダーの高周波信号源を集積し、タイミング生成機能を組み込めるという。研究チームによれば、これを応用することで、通信チャネル選択用フィルタや発振器などを、その他のCMOS回路とともに1枚のシリコンチップに搭載できるようになる。 米国の半導体研究コンソーシアム「Semiconductor Research Corporation（SRC）」とコーネル大学（Cornell University）は、「MEMS（Micro Electro Mechanical Systems）トランジスタ」を発表した。同コンソーシアムの参加企業は、CMOS技術で製造する半導体チップ上にタイミング生成機能を集積できるようになる。 このMEMSトランジス
世界最高性能の印刷可能な有機トランジスタを開発 | プレスリリース | NEDO
(1)低コストかつ高速の有機エレクトロニクスへ 大阪大学の竹谷純一教授らならびに広島大学の瀧宮和男教授らは、典型的な塗布型有機トランジスタの性能（0.1-1cm2/Vs）を1桁以上も上回る10cm2/Vsのキャリア移動度を有する有機トランジスタを開発しました。この性能は従来の結果を遙かにしのぐ値であり、これまで不可能とされてきた高速の有機エレクトロニクス素子への応用に道を拓くものです。例えば、ディスプレイパネルに利用した場合、従来のアモルファスシリコン材料を用いた場合より、1桁速い動画が表示可能となります。 (2)新規プロセス「塗布結晶化法」と新有機半導体材料「アルキルDNTT」（注）の開発 大阪大学の竹谷純一教授らは、溶液から有機半導体膜を形成する際に、有機半導体分子が規則正しく配列した結晶構造を実現する新しい成膜プロセス「塗布結晶化法」を開発しました。また、広島大学の瀧宮和男教授らは、
MOSのキャリア移動度の求め方
MOSのキャリア移動度の求め方について教えて下さい。 MOSの形状比の算出式にW/L＝2Ids/（μCoxVeff^2）と記述されており、これを基に形状比を求めたいのですが、μの算出方法が分かりません。 Coxは酸化膜圧toxでMOSのモデルファイルなどに記述されていたのですが、移動度μに関してはどのように求めていくのでしょうか？ そもそもの考え方が間違っているのであれば、正しい導きだしのSTEPを教えて下さい。 又、得られたW/Lの形状比はそのあとどのようにしてW値・L値を出していくのでしょうか？形状比さえ合っていればW値・L値は適当で良いってわけでもないですよね？ 初心者的な質問で申し訳ございませんが、どなたかご教授頂けると幸いです。よろしくお願い致します。
100万分の1の消費電力で、演算も記憶も行う新しいトランジスタを開発 | NIMS
独立行政法人物質・材料研究機構 独立行政法人 科学技術振興機構 国立大学法人 大阪大学 国立大学法人 東京大学 NIMS国際ナノアーキテクトニクス拠点は、大阪大学、ならびに東京大学の研究グループと共同で、従来の100万分の1の消費電力で、演算も記憶も行うことが可能な新しいトランジスタ「アトムトランジスタ」の開発に成功した。 独立行政法人物質・材料研究機構 (理事長 : 潮田 資勝) 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点 (拠点長 : 青野 正和) の 長谷川 剛 主任研究者らのグループは、大阪大学大学院理学研究科の小川 琢治教授、ならびに東京大学大学院工学系研究科の山口 周教授らの研究グループと共同で、従来の100万分の1の消費電力で、演算も記憶も行うことが可能な新しいトランジスタ「アトムトランジスタ」の開発に成功した。状態を保持できる (記憶する) 演算素子は、起動時間ゼロのPC (パーソ
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