半導体内配線が170nm、って、今は22nmプロセスだからそれほどでも無いような。光を使うのは半導体間の基板配線とか内部ブロック間配線とSRAM部分じゃね? DRAMは新世代不揮発性メモリに代わるだろうし

daishi_n のブックマーク 2014/02/27 08:24

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/184227310/comment/daishi_n" data-user-id="daishi_n" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/alfalfalfa.com/archives/7120727.html" data-original-href="http://alfalfalfa.com/archives/7120727.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=http%3A%2F%2Falfalfalfa.com%2Farchives%2F7120727.html" data-user-icon="/users/daishi_n/profile.png">【日本ﾊｼﾞﾏﾀ】 スパコンをパソコン並みに小さくする基礎技術をＮＴＴが開発、10年後に実用化へ　＼(^o^)／</a><br><p style="clear: left">半導体内配線が170nm、って、今は22nmプロセスだからそれほどでも無いような。光を使うのは半導体間の基板配線とか内部ブロック間配線とSRAM部分じゃね? DRAMは新世代不揮発性メモリに代わるだろうし</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/daishi_n/20140227#bookmark-184227310"><span class="datetime-body">2014/02/27 08:24</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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