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次世代メモリ候補は、抵抗変化メモリ、磁気メモリ、相変化メモリだった。相変化メモリは消費電流の大きさが問題となり脱落。ばらつき問題から磁気メモリもオンチップキャッシュへ。抵抗変化メモリが候補に絞られつつ
vcc のブックマーク 2014/12/22 13:27
【イベントレポート】 ソニーとMicronが16Gbitの大容量抵抗変化メモリを共同開発 ~IEDM 2014レポート[次世代メモリ][回路][半導体][開発]次世代メモリ候補は、抵抗変化メモリ、磁気メモリ、相変化メモリだった。相変化メモリは消費電流の大きさが問題となり脱落。ばらつき問題から磁気メモリもオンチップキャッシュへ。抵抗変化メモリが候補に絞られつつ2014/12/22 13:27
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次世代メモリ候補は、抵抗変化メモリ、磁気メモリ、相変化メモリだった。相変化メモリは消費電流の大きさが問題となり脱落。ばらつき問題から磁気メモリもオンチップキャッシュへ。抵抗変化メモリが候補に絞られつつ
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