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リーク電流によるフラッシュメモリのエラー確率を、高い精度で予測。データをメモリに書き込む時点で寿命に応じた所定の数のエラーを意図的に注入することでデータを破壊し、誤り訂正できないようにする。
vcc のブックマーク 2015/06/19 13:00
フラッシュメモリを物理的に破壊せずに“忘れられる権利”を実現するメモリシステム、中央大・竹内健教授のグループが開発 [半導体][Flash][メモリ][これはすごい][エラー処理][アルゴリズム]リーク電流によるフラッシュメモリのエラー確率を、高い精度で予測。データをメモリに書き込む時点で寿命に応じた所定の数のエラーを意図的に注入することでデータを破壊し、誤り訂正できないようにする。2015/06/19 13:00
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internet.watch.impress.co.jp2015/06/18
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リーク電流によるフラッシュメモリのエラー確率を、高い精度で予測。データをメモリに書き込む時点で寿命に応じた所定の数のエラーを意図的に注入することでデータを破壊し、誤り訂正できないようにする。
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フラッシュメモリを物理的に破壊せずに“忘れられる権利”を実現するメモリシステム、中央大・竹内健教授のグループが開発
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