リーク電流によるフラッシュメモリのエラー確率を、高い精度で予測。データをメモリに書き込む時点で寿命に応じた所定の数のエラーを意図的に注入することでデータを破壊し、誤り訂正できないようにする。

vccvcc のブックマーク 2015/06/19 13:00

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フラッシュメモリを物理的に破壊せずに“忘れられる権利”を実現するメモリシステム、中央大・竹内健教授のグループが開発 

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