今回の技術では、工程の初期段階でICの固有番号基板の一部に多結晶シリコン薄膜を堆積させた後、標準的なFinFET素子と同じ製造工程で同時形成する。

vcc のブックマーク 2015/12/11 15:28

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/272972505/comment/vcc" data-user-id="vcc" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/pc.watch.impress.co.jp/docs/news/yajiuma/734017.html" data-original-href="https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/yajiuma/734017.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fpc.watch.impress.co.jp%2Fdocs%2Fnews%2Fyajiuma%2F734017.html" data-user-icon="/users/vcc/profile.png">【やじうまPC Watch】 産総研、チップの偽造を防ぐIC指紋技術の精度を3倍に ～多結晶シリコンFinFETにより小型化と低コスト化も可能に</a><ul class="comment-tag" style="list-style: none; margin: 0px;"><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E5%9B%9E%E8%B7%AF">回路</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E3%82%BB%E3%82%AD%E3%83%A5%E3%83%AA%E3%83%86%E3%82%A3">セキュリティ</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E5%8D%8A%E5%B0%8E%E4%BD%93">半導体</a>]</li></ul><br><p style="clear: left">今回の技術では、工程の初期段階でICの固有番号基板の一部に多結晶シリコン薄膜を堆積させた後、標準的なFinFET素子と同じ製造工程で同時形成する。</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/vcc/20151211#bookmark-272972505"><span class="datetime-body">2015/12/11 15:28</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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