電子機器の高速・高性能化に伴い、高速に動作するシステムLSIへの要求が年々高まっています。

新技術

toma2 のブックマーク 2006/10/25 13:53

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/3080979/comment/toma2" data-user-id="toma2" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/www.nec.co.jp/press/ja/0607/1402.html" data-original-href="http://www.nec.co.jp/press/ja/0607/1402.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=http%3A%2F%2Fwww.nec.co.jp%2Fpress%2Fja%2F0607%2F1402.html" data-user-icon="/users/toma2/profile.png">超高速動作不揮発性磁気メモリ(MRAM)セル基本技術を開発(2006年 7月14日): プレスリリース | NEC</a><ul class="comment-tag" style="list-style: none; margin: 0px;"><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/%E6%96%B0%E6%8A%80%E8%A1%93">新技術</a>]</li></ul><br><p style="clear: left">電子機器の高速・高性能化に伴い、高速に動作するシステムLSIへの要求が年々高まっています。</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/toma2/20061025#bookmark-3080979"><span class="datetime-body">2006/10/25 13:53</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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