「Samsungの10nm FinFETプロセス」「Snapdragon 835を搭載したデバイスは2017年上半期に登場する予定」ほへー

rgfx のブックマーク 2016/11/18 15:17

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/308658770/comment/rgfx" data-user-id="rgfx" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1030695.html" data-original-href="https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1030695.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fpc.watch.impress.co.jp%2Fdocs%2Fnews%2F1030695.html" data-user-icon="/users/rgfx/profile.png">Qualcomm、次期Snapdragon 835をSamsungの10nm FinFETプロセスで製造 ～5分の充電で5時間以上の駆動が可能な「Quick Charge 4」も実装</a><br><p style="clear: left">「Samsungの10nm FinFETプロセス」「Snapdragon 835を搭載したデバイスは2017年上半期に登場する予定」 ほへー</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/rgfx/20161118#bookmark-308658770"><span class="datetime-body">2016/11/18 15:17</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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