3次元クロスポイントを使ってるマイクロン/インテル陣営が入ってくると良さそうだな。CNTをSiに埋め込むのは配線層と同じ考えでいけるのかな。/DRAM並みの書き換え回数は10の15乗回以上を検証できる必要があるみたい

daishi_n のブックマーク 2018/11/21 16:13

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/374328135/comment/daishi_n" data-user-id="daishi_n" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1154254.html" data-original-href="https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/1154254.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fpc.watch.impress.co.jp%2Fdocs%2Fcolumn%2Fsemicon%2F1154254.html" data-user-icon="/users/daishi_n/profile.png">【福田昭のセミコン業界最前線】 サーバー/PC主記憶DRAMの置き換えを目指すナノチューブメモリ</a><br><p style="clear: left">3次元クロスポイントを使ってるマイクロン/インテル陣営が入ってくると良さそうだな。CNTをSiに埋め込むのは配線層と同じ考えでいけるのかな。/DRAM並みの書き換え回数は10の15乗回以上を検証できる必要があるみたい</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/daishi_n/20181121#bookmark-374328135"><span class="datetime-body">2018/11/21 16:13</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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