“CMOS周辺回路(下)とメモリセルアレイ(上)をCBA技術によって接続した後の断面”メモリセルアレイを形成したウェハ(上)を反転させ、CMOS周辺回路(下)と接合用銅電極同士をハイブリッド接合する。

hiroomi のブックマーク 2024/08/06 19:58

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【福田昭のセミコン業界最前線】 Western Digitalが明らかにする3D NANDフラッシュの「不都合な真実」

pc.watch.impress.co.jp2023/08/28

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