引用：主な理由は「微細化(および大容量化)の可能性」、「適度な書き込み電流量」、「DRAM製造ラインとの親和性」である。

w2allen のブックマーク 2012/01/26 18:16

<blockquote class="hatena-bookmark-comment"><a class="comment-info" href="https://b.hatena.ne.jp/entry/77644521/comment/w2allen" data-user-id="w2allen" data-entry-url="https://b.hatena.ne.jp/entry/s/pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/507306.html" data-original-href="https://pc.watch.impress.co.jp/docs/column/semicon/507306.html" data-entry-favicon="https://cdn-ak2.favicon.st-hatena.com/64?url=https%3A%2F%2Fpc.watch.impress.co.jp%2Fdocs%2Fcolumn%2Fsemicon%2F507306.html" data-user-icon="/users/w2allen/profile.png">【福田昭のセミコン業界最前線】 エルピーダ、2013年に8Gbitの抵抗変化メモリを製品化へ</a><ul class="comment-tag" style="list-style: none; margin: 0px;"><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/new">new</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/memory">memory</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/technology">technology</a>]</li><li style="float: left">[<a href="https://b.hatena.ne.jp/q/reason">reason</a>]</li></ul><br><p style="clear: left">引用：主な理由は「微細化(および大容量化)の可能性」、「適度な書き込み電流量」、「DRAM製造ラインとの親和性」である。</p><a class="datetime" href="https://b.hatena.ne.jp/w2allen/20120126#bookmark-77644521"><span class="datetime-body">2012/01/26 18:16</span></a></blockquote><script src="https://b.st-hatena.com/js/comment-widget.js" charset="utf-8" async></script>

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