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  • 世界初、中性子が引き起こす半導体ソフトエラー特性の全貌を解明~全電子機器に起こりうる、宇宙線起因の誤動作対策による安全な社会インフラの構築~ | ニュースリリース | NTT

    電信電話株式会社(社:東京都千代田区、代表取締役社長:島田 明、以下「NTT」)、および国立大学法人北海道大学(北海道札幌市、総長:寳金 清博、以下「北海道大学」)は共同で、中性子のもつエネルギーごとの半導体ソフトエラー※1発生率※2を今までは測定がされていなかった10 meV~1 MeVの低エネルギー領域において、"連続的な"データとして実測することに成功し、その全貌を世界で初めて明らかにしました(図1)。 現在の社会インフラを支える電子機器においては、宇宙線(太陽フレアや銀河から飛来する放射線)に起因する誤動作であるソフトエラーの対策が不可欠です。中性子エネルギーごとのソフトエラー発生率の解明は、その対策を行う上で最も重要なものです。今後は、この結果を活用しソフトエラー対策をさらに進展させることで、より安全・安心な社会インフラの実現が可能となります。 成果は米国東部時間2023

    世界初、中性子が引き起こす半導体ソフトエラー特性の全貌を解明~全電子機器に起こりうる、宇宙線起因の誤動作対策による安全な社会インフラの構築~ | ニュースリリース | NTT
    estragon
    estragon 2023/03/17
    “低エネルギー中性子の中でも熱中性子※10と呼ばれる25 meV(2.5 x 10-8 MeV)付近のエネルギー帯の中性子のソフトエラー発生率が高くなっていることがわかります。この熱中性子は、高エネルギー中性子が水、プラスチック
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