MOS-FETによるドライブ回路マイクロコントローラーなどのロジック回路から、高速動作を求めないが、大きな電流を扱いたい場合はMOS-FETが大変に重宝します。 下図が使用例です。MOS-FETはゲート端子が浮いていると（フロート状態）、破損したり誤動作しますのでRgを省くことはできません。 Rgは10KΩ～470KΩの範囲であればいいでしょう。 下図はMOS-FETである2SK2231のID-VGS特性を示したものです。 ゲート、ドレイン、ソースを、トランジスタのベース、コレクタ、エミッタに読み替えればトランジスタのIc-Vbe特性で良く見る曲線と酷似していることが判ります。 即ち、トランジスタのBE間に約0.65Vの電圧が掛からないとコレクタ電流が流れないのと同じように、MOS-FETでもGS間に電圧が掛からないとドレイン電流が流れないことを示しています。 このようにトランジスタの動作と似ているID-VGS特性のFE
