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mosfetに関するh6nのブックマーク (2)

  • MOS FETを使ったマイコン周辺回路の電源の制御方法 - なんでも作っちゃう、かも。

    Arduino/Make/フィジカルコンピューティング/電子工作あたりで活動しています。スタバの空きカップを使ったスタバカップアンプなど製作。最近はもっぱらArduinoと3Dプリンタの自作に興味があります。 マイコン周辺回路の電源の制御方法を検討中です。次の回路図の様にMOS FETを使って+側を制御する方式をハイサイドスイッチというようです。手持ちのPch型MOS FET「2SJ377」が使えそうです。 マイコンのポートを使ってFETのゲートを駆動する。ポートとゲートの間には100Ω程度の抵抗を入れる。マイコンのポート電圧でFETのゲートを駆動できない場合、トランジスタを追加したりする。 マイコン周辺回路の電源制御はこれで良いとして、周辺回路とつながっているポートの処理をどうすればいいだろう。ポートを入力に設定してそのまま?ポートを出力にしてL出力にする? ゲート抵抗、トランジスタなど

    h6n
    h6n 2011/12/16
  • MOS-FETによるドライブ回路

    マイクロコントローラーなどのロジック回路から、高速動作を求めないが、大きな電流を扱いたい場合はMOS-FETが大変に重宝します。 下図が使用例です。MOS-FETはゲート端子が浮いていると(フロート状態)、破損したり誤動作しますのでRgを省くことはできません。 Rgは10KΩ~470KΩの範囲であればいいでしょう。 下図はMOS-FETである2SK2231のID-VGS特性を示したものです。 ゲート、ドレイン、ソースを、トランジスタのベース、コレクタ、エミッタに読み替えればトランジスタのIc-Vbe特性で良く見る曲線と酷似していることが判ります。 即ち、トランジスタのBE間に約0.65Vの電圧が掛からないとコレクタ電流が流れないのと同じように、MOS-FETでもGS間に電圧が掛からないとドレイン電流が流れないことを示しています。 このようにトランジスタの動作と似ているID-VGS特性のFE

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