「省電力」技術には信頼性が欠かせない
省電力技術の重要性が一段と増している。国内の電力の6割を使うモーターの消費電力を引き下げたり、太陽光発電システムの出力量を高められる技術の注目度が高い。その鍵を握る技術の1つが「SiC」である。だが、SiCには弱点があった。信頼性が既存技術に比べて低い。どうすればよいのか。ロームの取り組みを紹介する。 国内の電力事情が予断を許さない中、発電技術、蓄電技術に加えて、省電力技術に注目が集まっている。なかでも効果的なのが、電力の変換ロスを引き下げる技術だ。なぜなら、電力変換技術は省電力に役立つだけでなく、発電や蓄電をも改善するからだ。 交流で送配電されてきた電力を、家電や電子機器で利用可能な直流に変換する、太陽電池が発電した直流を交流に変換して売電する、リチウムイオン二次電池が出力する直流を交流に変換して電気自動車のモーターを動かす……。いずれの場合も、電力変換技術が欠かせない。その改善によって
共同発表：トランジスターの理論限界を突破 次世代省エネデバイス実現へ
平成２４年６月１３日 科学技術振興機構（ＪＳＴ） Tel：03-5214-8404（広報課） 北海道大学 Tel：011-706-2610（広報課） ポイント スイッチング特性の良さを示すサブスレッショルド係数で世界最小の２１ｍＶ／桁を達成 現在の半導体集積回路に比べ回路全体で消費電力を１０分の１以下に低減が可能 デジタル家電の待機電力を大幅カット、モバイル機器電池の消耗を半分に低減する夢の省エネデバイスへ道 ＪＳＴ 課題達成型基礎研究の一環として、ＪＳＴ さきがけ専任研究者の冨岡 克広、北海道大学 大学院情報科学研究科の福井 孝志 教授らは、半導体中のトンネル効果注１）を用いることで、従来のトランジスター（電子の流れを電圧で制御してオンオフするスイッチ素子）の理論限界を大きく下回る低消費電力トランジスターの開発に成功しました。この素子はあらゆる電子機器の省エネルギー技術へ応用できます。
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