インテル、45ナノメートル製造プロセスによる試作チップを披露
Intelが、将来に向けた45ナノメートルプロセスの開発が予定通り進んでいることを明らかにした。 Intel（本社：カリフォルニア州サンタクララ）のプロセスアーキテクチャおよび統合担当ディレクター、Mark Bohrによると、同社は45ナノメートルプロセスを使ったチップの試作品開発に成功しており、2007年後半にも、同プロセスで製造したプロセッサやフラッシュメモリなどのチップ製品を出荷する可能性が高いという。 この試作品は153MビットのスタティックSRAMメモリチップで、今月に入って製造に成功した。同チップは10億個以上のトランジスタを集積しながら、Intelが2000年に当時最新の130ナノメートルプロセスで製造した18メガビットの試作SRAMチップとほぼ同サイズに収まっている。45ナノメートルで製造した試作チップのメモリセルは、130ナノメートルプロセスが2.45平方ミクロンだったの
AMD、65ナノメートルプロセスでのプロセッサを出荷開始
Intelとの競合が激しさを増す中、Advanced Micro Devices（AMD）は65ナノメートルプロセスで製造したプロセッサの出荷を開始した。 65ナノメートルプロセスのAMD製プロセッサは、90ナノメートルプロセスのものに比べ、同じ速度で動作させた際に消費電力を約30％低減できる。65ナノメートルプロセスによる最初のプロセッサを出荷するにあたり、事実上すべての改善点は電力消費量の削減につながっていると、AMDのロジック技術開発担当バイスプレジデントNick Kepler氏は述べた。 AMDは今回初めて、プロセッサ内トランジスタのシリコン引き伸ばしにシリコンゲルマニウム膜を採用した。これによりパフォーマンスが向上したことが、省電力にも一役買っている。 シリコンを引き伸ばすと、より大きなゲルマニウム原子がシリコンの原子をわずかに配列し直す。これにより電子移動が高速化するため、トラ
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