半導体プロセスまるわかり 微細化の限界にあるNANDフラッシュ (1/3)DRAMにも増して容量増加の要求が高く、これに向けてDRAMよりもさらに微細化を進めることになった。 微細化だけでは足りないので多値化もやった。 それでも足りずに3Dに向けてすでに量産に入った。 さて、フラッシュメモリーの構造も説明してなかったので、まずはここから始めたい。フラッシュメモリーと一口に言っても、大別してNOR型とNAND型がある。実はどちらも発明者は一緒で、東芝の元社員、舛岡富士雄氏によるものだ。 最初に発明されたのがNOR型で、次いでNAND型が発明された。もっともNOR型とNAND型は、基本的な記憶素子の構造は同一で、配線が異なるのみである。もっともその配線の違いにより以下の違いがある。
