フラッシュメモリは2回目以降の書き込みでは、以前書き込まれたデータを消す為に512KB前後のページに高電圧をバンッ!!と印加してデータを消すので、1回目とは違って音が出ます。 そして書き換えた回数が増えてくると、しきい値電圧や印加電圧が上がると共にリーク電流も増え、NANDフラッシュセルやコントローラといった半導体の表面からのコロナ放電量も増えるので、より大きな音が出るようになります。 送電線鉄塔と同様、絶縁や半導体に塩分や塵、埃などが付着したり、湿気にさらされたりしている時にも音は大きくなります。