GIGAZINE - DRAMに代わる次世代のメモリ「MRAM」とは何か
現在、パソコンで使われているメモリ、いわゆるDRAMは電源を切ると中の情報が消えます。いわゆる揮発性メモリです。ですが、電源を切っても消えないメモリの開発が進んでおり、ついに実用化一歩手前まで来ました。その名を「MRAM」と言います。 このメモリを使えば、ExcelやWordで文書作成中に電源が落ちても、落ちる寸前に戻ることが可能になります。また、速度、容量は今まで以上になり、消費電力はさらに下がります。まさに夢のメモリ。 詳細は以下の通り。 My Way News - Freescale Unveils Magnetic Memory Chip http://apnews.myway.com//article/20060710/D8IOU6C00.html この記事によると、米国モトローラ･インクより半導体セクターのすべての資産を引き継いで分社化した「フリースケール･セミコンダクタ･イン
Freescale、MRAMの量産開始 ～究極の不揮発性メモリへの期待と現実
7月10日(現地時間) 発表 ●理想のメモリLSIを求めて 米国の大手半導体ベンダーFreescale Semiconductorは10日(現地時間) 、4Mbit MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)の量産を始めたと発表した。 MRAMは半導体業界で、「究極の不揮発性メモリ」と期待されてきた。将来、PCやサーバーなどのメインメモリに採用されれば、使用環境を一変させる可能性を秘めているからだ。 MRAMが製品化されたこの機会を捉え、理想のメモリLSIについて述べるとともに、最初のMRAMとなったこの製品の位置付けを考えてみたい。 まず、理想のメモリLSIとは何かについて考えよう。これには、いろいろな条件がある。 ・電源を切ってもデータが半永久的に消えないこと(不揮発性) ・データを高速に読み出せること(高速読み出し) ・データを高速に書き込
磁気抵抗メモリ - Wikipedia
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MRAM
MRAM （磁気抵抗メモリ） は Magnetoresistive Random Access Memory の略語ですが、 その名の通り、 磁気によってデータを記憶するメモリです。 軍事・宇宙開発などの特殊な用途以外ではまだ普及していませんから、 MRAM （エムラム） なんて聞いたことがないかもしれません。 MRAM は最近話題になっている次世代のメモリです。 半導体メモリ （DRAM, SRAM etc.） が普及するまで、 コンピュータにはコアメモリが使われていました。 コアメモリは左の写真のように、 小さいドーナツ状の磁性体に縦、横、斜めに導線を通し、 これに電流を流して磁性体の磁化の方向を切り替えることによってデータを記憶します。 この写真のコアメモリはごく初期のもので、 記憶容量は 256 ビットです。 最近のパソコンには 2 ギガバイト程度のメモリが実装されていますから、
asahi.com（朝日新聞社）：家電製品の「待機電力」減らせ 「省エネ回路」各社競う - ビジネス
家電製品の「待機電力」減らせ 「省エネ回路」各社競う2009年1月8日5時59分印刷ソーシャルブックマーク ＮＥＣが開発した待機電力をゼロにする「エコ回路」が搭載されたシリコンウエハー 家電製品を使用していない時に必要な「待機電力」を減らす技術開発が進んでいる。待機電力の大半は、心臓部である半導体のＬＳＩ（大規模集積回路）の記憶を残すために使われている。そこで電機各社は、電源を切ってもデータを残す技術を開発。省エネへの貢献を目指している。 家電の待機電力は、平均的な家庭の消費電力全体の５〜１０％を占める。従来のＬＳＩは記憶したデータは電源を切ると消えてしまうため、常に微量の電力を流しておく必要があった。例えば、電源を切ったテレビやレコーダーも、リモコン操作や予約動作に瞬時に対応できるようデータをＬＳＩに一時記憶している。 ＮＥＣは、「ＭＲＡＭ」と呼ばれる半導体メモリーの技術を応用して、電源
産総研とシャープ、「RRAM」開発に成功
独立行政法人・産業技術総合研究所は9月25日、シャープと共同で「RRAM」（Resistance RAM：抵抗変化メモリ）の開発に成功したと発表した。電源を切っても記憶を保持できる不揮発性ながら、既存のNOR型フラッシュメモリと比べ1000分の1の低消費電力化が可能という。 RRAMは、金属電極で挟んだ遷移金属酸化膜の電気抵抗変化を記憶情報とするメモリ素子。不揮発性で低消費電力・高速動作が特徴だが、抵抗変化を定量的に制御する方法が開発できていないのが現状だ。 産総研とシャープは2006年、RRAM素子をMRAM並みの書き換え時間（10ナノ秒程度）に高速化することに成功していた。今回開発したRRAM素子は、タンタル電極とコバルト酸化物による単純な金属・酸化物接合が基本構造。接合界面のナノレベルの電気化学反応を定量的に制御することで、メモリ動作を高性能化したという。 貴金属を使わずに安定したメ
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