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半導体に関するlflのブックマーク (6)

  • Semiconductorjapan.net

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  • 大手メーカーの特許戦略はぬる過ぎる 履歴書23通目で入社、そこで見た仰天の企業活動とは | JBpress (ジェイビープレス)

    恥ずかしながら、私には2回、失業した経験がある。2回ともハローワークに通い、失業保険のお世話になった。 稿は、最初の失業時の体験に基づく特許の話である。私は2002年10月に日立製作所を早期退職した(その顛末は連載の最初に詳述した)。その後、半導体エネルギー研究所という会社に転職した。 失業中に、私は22の会社に履歴書を送ったが、すべて空振り。半導体エネルギー研究所は、23通目の履歴書を送った会社であり、初めて面接に到達し、そして採用された会社だ。 半導体エネルギー研究所は、半導体や液晶などの研究開発を行い、その結果を基に特許を取得し、基的にその特許の権利行使だけで利益を上げ続けている極めて珍しい形態の会社である。 仕事は刺激的で面白かったのだが、社長の山﨑舜平氏とウマが合わず、「明日から来ないでくれ」と言われ、転職してからたった半年で退職することになってしまった。その結果、2003

    大手メーカーの特許戦略はぬる過ぎる 履歴書23通目で入社、そこで見た仰天の企業活動とは | JBpress (ジェイビープレス)
  • ついに立ち上がるEUV露光 - 日経エレクトロニクス - Tech-On!

    13.5nmと非常に短い波長を用いる次世代露光技術のEUV(extreme ultraviolet)。22nm世代以降の最先端半導体の製造に向けて,研究開発が進められている技術です。このEUV露光技術は,極めて短い線幅の半導体を実現できるため,「究極の露光技術」とされてきました。その一方で,既存の露光技術に比べて,量産化に向けた技術障壁が格段に上がるため,これまでは「夢」の技術の域を出ませんでした。その技術障壁の高さは,従来の露光技術に比べて,光源波長がケタ違いに短くなることに表れています。1980年代以降,露光装置の光源の種類は,波長436nmのg線,同365nmのi線,同248nmのKrFレーザ,同193nmのArFレーザと,波長を徐々に短くしながら進化してきました。現在,最先端の半導体製造には液浸のArFレーザ装置が使われています。これがEUV露光に切り替わることは,波長がケタ違いに

  • asahi.com(朝日新聞社):インテル、立体構造の半導体生産へ 省電力と高速化実現 - ビジネス・経済

    インテルの新型トランジスタの拡大図。上からかぶさるように並ぶのが電流を立体的に制御する素子(インテル提供)  米半導体最大手インテルは4日、立体構造をもった半導体チップを開発し、年内に生産を開始すると発表した。立体構造にすることで、従来の平面構造では実現が困難だった高速で消費電力の少ないチップが実現するという。  半導体業界は、限られた大きさの半導体チップの上に、どれだけ多くのトランジスタを集積するかを競っている。トランジスタは半導体を利用したごく小さな部品で、二つの電極の間に電流を流すか流さないかで電気信号を制御する。電極の幅を小さくすることで集積度を高め、処理能力の向上と消費電力の低下を進めてきた。  現在主流の電極の幅は32ナノメートル(ナノは10億分の1)。人間の髪の毛の約3千分の1の細さだ。これ以上幅を小さくすると電極間で電流が漏れやすくなり、返って効率が悪くなる恐れが出ていた。

  • 【台湾】電子材料、日本依存見直し:BTレジンでリスク表面化[IT]/NNA.ASIA

  • Sony Japan|技術情報 Sony's Technology|裏面照射型CMOSセンサー Exmor R

    「ろうそくの明るさでもきれいに撮れるカメラ」の実現のために、ソニーは独自の裏面照射型構造を採用したCMOSセンサー“Exmor R”を開発し、従来の表面照射型CMOSセンサーに比べ、約2倍※1の感度および低ノイズを実現した。裏面照射型CMOSセンサーは、シリコン基板の裏側から光を照射することで、従来の画素構造(表面照射)ではなし得なかった光の効率的な利用によって、夜景などの暗い場所でもなめらかで高画質な映像の撮影を可能にする。世界で初めて、この裏面照射型CMOSセンサーを搭載したハイビジョンビデオカメラ『HDR-XR500V』『HDR-XR520V』が、2009年2月ついに発売された。 | イメージセンサーへの期待| 従来のCMOSセンサーの課題| | 裏面照射型CMOSセンサー“Exmor R”| 今後の技術展開| イメージセンサーへの期待 これまで、民生用カメラでは、主に、被写体の細部

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