エルピーダメモリとシャープ、東京大学などが、書き込み時間が大幅に短縮できる次世代メモリーを共同開発することが14日、わかった。平成25年の実用化を目指す。 エルピーダなどが開発を始めるのは、消費電力が少ないとされる抵抗変化式メモリー(ReRAM)。携帯情報端末などに使われているNAND型フラッシュメモリーの約1万倍の速さで情報を書き込むことができる。 実用化されれば、携帯電話でフルハイビジョンの映画を数秒でダウンロードすることができ、待機時の使用電力もほぼゼロになるという。 ReRAMは、シャープが材料技術や製造方法の研究を進めており、エルピーダのメモリー加工技術を組み合わせ、競争が激化する次世代メモリーの開発に着手する。東大や独立行政法人の産業技術総合研究所、半導体製造装置メーカーも参加し、25年に量産化を始める。