米新興企業Crossbar、フラッシュメモリの後継技術を発表米カリフォルニアの新興企業Crossbarは米国時間8月5日、抵抗変化型メモリ、すなわちReRAM製品を発表した。同社の不揮発性メモリ技術により、いくつかの技術的進歩がもたらされることが期待されている。 単一チップ上に最大1テラバイトのストレージを実装 シンプルな3Dスタッキング構造で数テラバイトのストレージに対応 超低電力によるバッテリ持続時間の改善 対NANDフラッシュ比20倍の高速書き込み CMOS製造プロセスとの互換性により、低コスト製造が可能 現行フラッシュメモリの半分のダイサイズ 最も重要な点は、そのシンプルな電気的構造にある。同ReRAM製品は、上部電極、スイッチング媒体、下部電極の3層構造で、シリコンをベースとした材料が使われている。 極間に電圧を印加することで両極間にフィラメントが形成され、ここにデータが保持される仕組みになっている。フィラメントは10ナノメートル級の微細
