大容量スピンRAMの記憶素子となる高性能な垂直磁化TMR素子を開発 垂直磁化TMR素子において、高い磁気抵抗（MR）比と低い素子抵抗（RA）値を初めて両立 大容量スピンRAMの開発に大きく前進 独立行政法人 産業技術総合研究所【理事長 野間口 有】（以下「産総研」という）ナノスピントロニクス研究センター【研究センター長 湯浅 新治】金属スピントロニクスチーム【研究チーム長 久保田 均】薬師寺 啓 主任研究員は、大容量のスピン注入型磁気抵抗ランダムアクセスメモリー（スピンRAM）の記憶素子となる、高性能な垂直磁化トンネル磁気抵抗（TMR）素子を開発した。 スピンRAMは記憶を保持するのに電力を使わずIT機器等の省エネルギーにつながるため、その開発、特に1ギガビット（Gbit）以上の大容量化が期待されている。記憶容量がGbitを超えるような大容量スピンRAMを実現するには、大きな出力信号を得る