元麻布春男の週刊PCホットライン - 次世代メモリデバイスMRAMの未来
現在PCのメインメモリとして幅広く使われているDRAMは、'60年代にIBMで開発されたものだ。汎用品としてのDRAMチップを初めて製品化したのがIntelで、'70年のことである。以来、DRAMは「産業のコメ」と言われるほど普及した。 その原動力となったのは、なんといっても構造が単純なため高集積が可能で、ビット単価が安いことだ。1つのセルを1個のトランジスタと電荷を蓄えるキャパシタで構成可能なDRAMは、トランジスタのみでデータを保持するSRAMに比べ、セルサイズが小さい。加えて、書き換え回数や読み出し回数に制限がなく、そこそこ高速であることもDRAMのメリットだ。最近では、同じようにセル構造が単純なNANDフラッシュメモリが集積度やビット単価、さらには製造プロセスの微細化で上回るようになったが、書き換え可能回数に制限があるというだけでも、PCの主記憶には使えない。 だが、だからといって
MRAM
MRAM （磁気抵抗メモリ） は Magnetoresistive Random Access Memory の略語ですが、 その名の通り、 磁気によってデータを記憶するメモリです。 軍事・宇宙開発などの特殊な用途以外ではまだ普及していませんから、 MRAM （エムラム） なんて聞いたことがないかもしれません。 MRAM は最近話題になっている次世代のメモリです。 半導体メモリ （DRAM, SRAM etc.） が普及するまで、 コンピュータにはコアメモリが使われていました。 コアメモリは左の写真のように、 小さいドーナツ状の磁性体に縦、横、斜めに導線を通し、 これに電流を流して磁性体の磁化の方向を切り替えることによってデータを記憶します。 この写真のコアメモリはごく初期のもので、 記憶容量は 256 ビットです。 最近のパソコンには 2 ギガバイト程度のメモリが実装されていますから、
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