【フラッシュメモリー】長期間の放置でデータが消える
図1 SSD、USBメモリー、SDメモリーカード、スマートフォンなど、フラッシュメモリーは幅広い機器で使われている。半導体のチップにデータを記録する 特徴は、データの読み書きが十分に高速で、小型ながら大容量であること。データを記録するチップと、その他の基板や端子の組み合わせでできており、ハードディスクのように機械的な駆動部品がないので、落下などによる衝撃にも強い。 そんな利便性の高さが評価されて急速に普及しているフラッシュメモリーだが、使う上で必ず知っておくべきことがある。「フラッシュメモリーを長期間放置すると、データが消えてしまう」ということだ。 なぜ記録したはずのデータが消えてしまうという怖い現象が起きるのか。その謎を解明するために、その動作原理を見ていこう。
NANDフラッシュの基本動作（後編）
前編に引き続き、NANDフラッシュメモリの中身を解説する。今回は、NANDフラッシュメモリに特徴的なMLC（Multi-Level Cell）方式、TLC（Triple-Level Cell）方式といった多値記憶技術の他、書き換え回数やデータ保持期間などを説明する。 多値記憶技術とNANDフラッシュ NANDフラッシュメモリの特徴に、「多値記憶技術」の導入がある。多値記憶とは、1個のメモリセルに3値以上の値を記憶する技術を意味する。通常のメモリセル（多値記憶ではないセル）は2値、つまり1ビットのデータを記憶する。 NANDフラッシュメモリの場合、多値記憶は1個のセルトランジスタに3通りのしきい電圧をプログラムする技術として開発が始まった。消去動作によるしきい電圧と合わせると、4通りのしきい電圧が存在する。すなわち1個のメモリセルに2ビットの値を記憶させることになる。 半導体メモリの世界では
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