【レポート】メモリ技術解説(2) 同期動作で高速化、SDRAM | ネット | マイコミジャーナル
次に記憶の保持であるが、DRAMはその構造上、キャパシタに蓄えた電荷が自然に消滅してしまうという弱点がある。次の図はDRAMのセルのFET(MOSFET)を詳しく表したものである。 電荷のリーク MOSFETはGNDに接続されたP型半導体をベースに、ソース、ドレインにあたるN型半導体、ゲートにあたる酸化膜により構成されているが、N型半導体に存在する電荷はP型半導体に接続されたGNDに微小ながら流れ出してしまう(放電する)という特性がある。したがってキャパシタの端子間電圧は徐々に低下してしまう。そのためDRAMでは記憶を保持するためにリフレッシュというキャパシタの端子間電圧を復帰させる作業を定期的に行なってやる必要がある。 リフレッシュは前述のリード動作の1.から4.と同じ処理で行なわれる。非同期DRAMは次のインタフェースで構成される。 非同期DRAMのインタフェース(2M×8ビット＝16
DRAMeXchange - World leading DRAM and NAND Flash market research firm, with more than a decade of most authoritative database
Notice: Starting in Dec., DDR5 8/16GB SO-DIMM, DDR5 8/16GB U-DIMM, and DDR5 16Gb 2Gx8 contract price quotations will be posted.
「2010年の半導体市場は、メモリーがけん引する」、アナリストが分析 | EE Times Japan
米国の市場調査会社であるDatabeans社は、2010年の世界半導体売上高が2009年比15％増となる2570億米ドルに達するという予想を披露した。とりわけ、フラッシュ・メモリーやDRAM、光エレクトロニクス（LED：Light Emitting Diode）の市場が大きく成長するという（図1）。 図1 2009年以降の半導体市場の売り上げ予測 単位は100万米ドル。光エレクトロニクスやフラッシュ・メモリーが特に大きく成長すると見られる。出典：米Databeans社 Databeans社は、2010年にフラッシュ・メモリー市場は2009年比で31％成長すると見ている。同様に、DRAM市場は28％、光エレクトロニクス市場は21％成長するという。対照的に、半導体でもほかの種類の市場の伸び率は、平均以下になるという。例えば、フラッシュ・メモリーを除くメモリー市場の成長率は2009年比7％、マ
1
リリース、障害情報などのサービスのお知らせ
最新の人気エントリーの配信
処理を実行中です
j次のブックマーク
k前のブックマーク
lあとで読む
eコメント一覧を開く
oページを開く
【イベントレポート】 【DRAM編】Intelが展望する2014年のDRAMトレンド
【後藤弘茂のWeekly海外ニュース】 DRAMのバーゲン価格は2010年まで続き DDR3と2G-bitへの移行がやって来る
【イベントレポート】 【MemCon 2009レポート】 2009年の半導体メモリ市場をSamsungが展望
DRAM
