インテルとSTマイクロエレクトロニクス、相変化メモリの密度倍増方法を開発IntelとST Microelectronicsは、相変化メモリのメモリセル1つに複数ビットを記録する方法を開発した。これにより相変化メモリの密度倍増に大きく近づいた。 今後の問題は製品化できるかどうだ。 相変化メモリはCDやDVDで使われているのと類似した素材を利用するメモリだ。相変化メモリでは、極小のレーザーなどでビットという小さな部分を急速に加熱することで、結晶状態からアモルファス状態へとビットの構造が変化する。このプロセスを逆にすると、アモルファス状態から結晶状態へとビットが変化する。 ビームがビットに反射し、その状態（結晶状態かアモルファス状態か）で、1または0として判断される。これによりデータブロックを構築する。 今回両社が開発したのは、この2つの状態に加えてさらに2つの中間状態を作り、これにビットを割り当てる方法だ。たとえて言えば、水蒸気と固い氷だけでなく、水とシャーベット
