フラッシュファイルシステム「Ｆｕｇｕｅ」 - 技術情報 フラッシュメモリ - はじめにフラッシュメモリとは電気的に消去(書き換え)可能なROMの一種です。 1984年東芝によって発明され、電気を流すとフラッシュのように一瞬で 消去できることからフラッシュメモリと名づけられました。 その後、電源を切ってもデータが消えない、 高集積化に適した構造になっている、などといったことから多くの半導体メーカ が参入し、今では携帯電話やデジタルカメラ等、多くの情報機器に利用されてきています。 電気的に書き換えができる不揮発性メモリとしては、他にもEPROMやEEPROMな どがあります。 EPROMの長所は低コストなことですが、オンボード状態での書き換えができない、 データを消去するときには紫外線を照射しなければならないといった問題があります。 また、EEPROMはオンボード状態で電気的に書き換え可能ですが、高価となっています。 しかし、フラッシュメモリはオンボード状態で書き換え可能な上、
