NEC、世界最高速250MHz駆動のSRAM互換MRAMを開発
11月30日 発表 NECは11月30日、データ保持に電力を消費しない高速次世代メモリである磁気メモリ「MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)」において、世界最高速の250MHz駆動の実証実験に成功したと発表した。 MRAMは高速/低消費電力な次世代の不揮発性メモリで、電源OFFの状態から瞬時起動が可能なPCへの応用などが見込まれている。 今回はNECが独自に開発/設計/試作し、容量が1Mbit、トランジスタ2個と磁気抵抗素子1個からなるメモリセルや、独自の回路方式を採用。これにより、従来のMRAM(100MHz)の約2倍以上となる250MHzの高速駆動に成功した。 これは現在のシステムLSIに組み込まれているSRAMと同等の速度であり、システムLSIへの組み込み用途の見通しが得られた。今後はシステムLSIに組み込んだ形での動作検証を目指すと
Freescale、MRAMの量産開始 ～究極の不揮発性メモリへの期待と現実
7月10日(現地時間) 発表 ●理想のメモリLSIを求めて 米国の大手半導体ベンダーFreescale Semiconductorは10日(現地時間) 、4Mbit MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)の量産を始めたと発表した。 MRAMは半導体業界で、「究極の不揮発性メモリ」と期待されてきた。将来、PCやサーバーなどのメインメモリに採用されれば、使用環境を一変させる可能性を秘めているからだ。 MRAMが製品化されたこの機会を捉え、理想のメモリLSIについて述べるとともに、最初のMRAMとなったこの製品の位置付けを考えてみたい。 まず、理想のメモリLSIとは何かについて考えよう。これには、いろいろな条件がある。 ・電源を切ってもデータが半永久的に消えないこと(不揮発性) ・データを高速に読み出せること(高速読み出し) ・データを高速に書き込
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