NEC、世界最高速250MHz駆動のSRAM互換MRAMを開発11月30日 発表 NECは11月30日、データ保持に電力を消費しない高速次世代メモリである磁気メモリ「MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)」において、世界最高速の250MHz駆動の実証実験に成功したと発表した。 MRAMは高速/低消費電力な次世代の不揮発性メモリで、電源OFFの状態から瞬時起動が可能なPCへの応用などが見込まれている。 今回はNECが独自に開発/設計/試作し、容量が1Mbit、トランジスタ2個と磁気抵抗素子1個からなるメモリセルや、独自の回路方式を採用。これにより、従来のMRAM(100MHz)の約2倍以上となる250MHzの高速駆動に成功した。 これは現在のシステムLSIに組み込まれているSRAMと同等の速度であり、システムLSIへの組み込み用途の見通しが得られた。今後はシステムLSIに組み込んだ形での動作検証を目指すと
