エネルギー最小点で動作するAI半導体（ニューラルネットワーク・アクセラレータ）技術の開発に成功 モバイルエッジ高性能AI技術要点 エネルギー最小点におけるSRAM動作と、超低電圧リテンションによるパワーゲーティングの両方を実現できる新たなSRAM技術を用いて、プロセッシング・イン・メモリ（PIM）型のニューラルネットワーク（NN）アクセラレータのマクロを開発。 動作時電力を99%、待機時電力を84%削減し、推論のエネルギー効率の飛躍的な増大に成功。全結合層において65 TOPS/Wの高いエネルギー効率を実現可能。 本技術は、将来のスマート社会で重要となるモバイルエッジデバイスに搭載可能な低消費電力・高性能AI技術として期待。 概要 東京工業大学 科学技術創成研究院 未来産業技術研究所の菅原聡准教授と工学院 電気電子系の塩津勇作博士後期課程大学院生（研究当時）らは、エネルギー最小点（EMP）[用語1]動作によって動作時電力を99%削減し、また、パワーゲーティング（PG）によって重みデータを失うことなく待機時電力を
