世界初! 電源装置向け窒化ガリウムHEMTを開発 : 富士通世界初! 電源装置向け窒化ガリウムHEMTを開発 ～待機時の通電遮断と通電時オン電流の高密度化の両立で省電力化を実現～ 株式会社富士通研究所(注1)(以下、富士通研究所)は、IT機器や家電など電子機器の低消費電力化技術として、電源装置の電力損失を低減できる新構造の窒化ガリウム(注2)高電子移動度トランジスタ(HEMT)(注3)の開発に成功しました。今回開発した技術は、電源装置として待機時の通電遮断を実現しつつ、通電時の高いオン電流(注4)密度を実現したものです。本技術により、電子機器の電源装置の電力損失を3分の1以下に低減することが可能となります。これにより、例えばデータセンターの消費電力を12％低減することができ、日本全体で年間33万トンのCO2を削減できる効果などが期待できます。 本技術の詳細は、6月22日から24日、米国ペンシルベニア州立大学で開催されている国際会議「Device R
