東芝、岩手県北上市にメモリ新工場建設へ
東芝は2017年9月6日、NAND型フラッシュメモリの新製造拠点を岩手県北上市に建設する予定であると発表した。 一度凍結された北上市への進出を決定 東芝は2017年9月6日、子会社でNAND型フラッシュメモリ事業を展開する東芝メモリ（以下、TMC）の新製造拠点を岩手県北上市に建設する予定であると発表した。2018年の工場建設着手を目標に、準備作業を行うという。 新製造拠点を設置するのは、岩手県北上市の北上工業団地地区。同地区には東芝の子会社で、システムLSIの製造を行うジャパンセミコンダクターの拠点がある。東芝は2008年2月にも、北上市にNANDフラッシュ工場を新設するとの計画を発表していたが不況の影響で凍結、中止していた。東芝は今回、新製造拠点の立地場所として北上市を選んだ理由として「進出可能時期や優秀な人材確保等の観点から総合的に評価し、決定した」としている。 SanDiskによる投
インテルとマイクロン、384Gビット容量の3D NANDを発表――年内量産へ
インテルとマイクロン、384Gビット容量の3D NANDを発表――年内量産へ：容量はサムスン、東芝の3倍！ インテルとマイクロン テクノロジーは2015年3月26日（米国時間）、1ダイで384Gビット容量を実現した3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ（以下、3D NAND）を共同開発したと発表した。 32層構造 インテルとマイクロン テクノロジーは2015年3月26日（米国時間）、1ダイで384Gビット容量を実現した3次元積層構造を用いたNAND型フラッシュメモリ（以下、3D NAND）を共同開発したと発表した。同日、256Gビット品のサンプル出荷を開始し、2015年夏までに384Gビット容量品のサンプル出荷を開始するという。量産は2015年内を予定している。 開発した3D NANDは、メモリセルを垂直方向に32層、重ねた構造を採用。セル当たり2ビットのデータを記憶するMLC（
東芝、四日市工場新建屋の建設を開始――早ければ2014年夏稼働へ
東芝は2013年8月23日、NAND型フラッシュメモリ（以下、NANDメモリ）の製造拠点である四日市工場の第5製造棟第2期分建屋の建設開始を発表した。建屋完成は、2014年夏を予定している。 東芝は2013年8月23日、NAND型フラッシュメモリ（以下、NANDメモリ）の製造拠点である四日市工場の第5製造棟第2期分建屋の建設開始を発表した。建屋完成は、2014年夏を予定している。 建設を開始した四日市工場第5製造棟第2期建屋は、2011年3月に完成し、同年7月から稼働を開始している第5製造棟第1期分に続くもの。「NANDメモリの次世代プロセス品や3次元構造品の生産スペースを確保することを目的に建設する」（東芝）としている。 同棟第2期分建屋の建設は、2013年7月に決定し、公表していた（関連記事：東芝が四日市第5棟第2期着工へ、2014年以降のスマホ/SSD向けNAND需要増に対応）。建設
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