当社は、世界で初めて注115nmプロセス注2を用いた2ビット/セルの128ギガビット(16ギガバイト)のNAND型フラッシュメモリを開発しました。今月末から四日市工場の第5製造棟で、現行世代の19nm第二世代品から切り替えて順次量産していきます。現在建設中の第5製造棟(第2期分)の完成後、今年の秋には同棟でも製造を行います。 新製品は、世界最先端の15nmプロセスを適用するとともに周辺回路の工夫により、世界最小クラスのチップサイズを実現しました。19nm第二世代品と比較して書き込み速度はほぼ同等、また、データ転送速度は高速インタフェース仕様の採用により、1.3倍の速さである533メガビット/秒を実現しています。 当社は本プロセスを採用した3ビット/セル製品も第1四半期中の量産開始を計画しており、並行して開発している高性能NANDコントローラを組み合わせてスマートフォンやタブレットPCなどに